光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

型号	保存温度	耐电压	端子形状	特点	封装	部允许损耗
AQW454AZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	低导通电阻与经济性兼顾的Photo MOS２ｂ型！	DIP8	75mW
AQW610EH	-40℃～+100℃	5000V AC	Through Hole	实现了经济价格的低成本Photo MOS1ａ１ｂ型！	DIP8	75mW
AQW610EHA	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本Photo MOS1ａ１ｂ型！	DIP8	75mW
AQW610EHAZ	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本Photo MOS1ａ１ｂ型！	DIP8	75mW
AQW610S	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了超小型化的高性能Photo MOSSO封装1a1b型	SOP8	75mW
AQW610SX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了超小型化的高性能Photo MOSSO封装1a1b型	SOP8	75mW
AQW612EH	-40℃～+100℃	5000V AC	Through Hole	实现了经济价格的低成本类Photo MOS1ａ１ｂ型！	DIP8	75mW
AQW612EHA	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本类Photo MOS1ａ１ｂ型！	DIP8	75mW
AQW612S	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了超小型化的高性能Photo MOSSO封装1a1b型	SOP8	75mW
AQW614	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	高性能与经济性兼顾的Photo MOS1a1b型！	DIP8	75mW
AQW614A	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	高性能与经济性兼顾的Photo MOS1a1b型！	DIP8	75mW
AQW614AX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	高性能与经济性兼顾的Photo MOS1a1b型！	DIP8	75mW
AQW614AZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	高性能与经济性兼顾的Photo MOS1a1b型！	DIP8	75mW
AQW614EH	-40℃～+100℃	5000V AC	Through Hole	实现了经济价格的低成本类Photo MOS1ａ１ｂ型！	DIP8	75mW
AQW614EHA	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本类Photo MOS1ａ１ｂ型！	DIP8	75mW
AQW614EHAX	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本类Photo MOS1ａ１ｂ型！	DIP8	75mW
AQW614EHAZ	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本类Photo MOS1ａ１ｂ型！	DIP8	75mW
AQW654	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	低通电阻与经济性兼顾Photo MOS1a1b型	DIP8	75mW
AQW654A	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	低通电阻与经济性兼顾Photo MOS1a1b型	DIP8	75mW
AQW654AX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	低通电阻与经济性兼顾Photo MOS1a1b型	DIP8	75mW

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