光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

型号	保存温度	耐电压	端子形状	特点	封装	部允许损耗
AQW224NA	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了高速动作，低漏电流，低导通电阻的Photo MOS的2a型！	DIP8	75mW
AQW224NAX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了高速动作，低漏电流，低导通电阻的Photo MOS的2a型！	DIP8	75mW
AQW224NAZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了高速动作，低漏电流，低导通电阻的Photo MOS的2a型！	DIP8	75mW
AQW227N	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	实现了高速动作，低漏电流，低导通电阻的Photo MOS的2a型！	DIP8	75mW
AQW227NA	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了高速动作，低漏电流，低导通电阻的Photo MOS的2a型！	DIP8	75mW
AQW254	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	低导通电阻与经济性兼顾的Photo MOS2a型！	DIP8	75mW
AQW254A	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	低导通电阻与经济性兼顾的Photo MOS2a型！	DIP8	75mW
AQW254AX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	低导通电阻与经济性兼顾的Photo MOS2a型！	DIP8	75mW
AQW254AZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	低导通电阻与经济性兼顾的Photo MOS2a型！	DIP8	75mW
AQW414	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	高性能与经济性兼顾的Photo MOS2b型	DIP8	75mW
AQW414A	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	高性能与经济性兼顾的Photo MOS2b型	DIP8	75mW
AQW414AX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	高性能与经济性兼顾的Photo MOS2b型	DIP8	75mW
AQW414AZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	高性能与经济性兼顾的Photo MOS2b型	DIP8	75mW
AQW414EH	-40℃～+100℃	5000V AC	Through Hole	实现了经济价格的低成本Photo MOS２ｂ型！	DIP8	75mW
AQW414EHA	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本Photo MOS２ｂ型！	DIP8	75mW
AQW414S	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	-	SOP8	75mW
AQW414SX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	-	SOP8	75mW
AQW454	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	低导通电阻与经济性兼顾的Photo MOS２ｂ型！	DIP8	75mW
AQW454A	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	低导通电阻与经济性兼顾的Photo MOS２ｂ型！	DIP8	75mW
AQW454AX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	低导通电阻与经济性兼顾的Photo MOS２ｂ型！	DIP8	75mW

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