| 型号 | 保存温度 | 耐电压 | 端子形状 | 特点 | 封装 | 部允许损耗 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| AQW214EHA | -40℃～+100℃ | 5000V AC | Surface-Mount | 实现了经济价格的低成本Photo MOS２ａ型！ | DIP8 | 75mW |
| AQW214EHAX | -40℃～+100℃ | 5000V AC | Surface-Mount | 实现了经济价格的低成本Photo MOS２ａ型！ | DIP8 | 75mW |
| AQW214S | -40℃～+100℃ | 1500V AC | Surface-Mount | 实现了超小型化的高性能半导体ＳＯ封装２a型 | SOP8 | 75mW |
| AQW214SX | -40℃～+100℃ | 1500V AC | Surface-Mount | 实现了超小型化的高性能半导体ＳＯ封装２a型 | SOP8 | 75mW |
| AQW214SZ | -40℃～+100℃ | 1500V AC | Surface-Mount | 实现了超小型化的高性能半导体ＳＯ封装２a型 | SOP8 | 75mW |
| AQW215 | -40℃～+100℃ | 1500V AC | Through Hole | 高性能与经济性兼顾的Photo MOS2a型！ | DIP8 | 75mW |
| AQW215A | -40℃～+100℃ | 1500V AC | Surface-Mount | 高性能与经济性兼顾的Photo MOS2a型！ | DIP8 | 75mW |
| AQW215AX | -40℃～+100℃ | 1500V AC | Surface-Mount | 高性能与经济性兼顾的Photo MOS2a型！ | DIP8 | 75mW |
| AQW216 | -40℃～+100℃ | 1500V AC | Through Hole | 高性能与经济性兼顾的Photo MOS2a型！ | DIP8 | 75mW |
| AQW216A | -40℃～+100℃ | 1500V AC | Surface-Mount | 高性能与经济性兼顾的Photo MOS2a型！ | DIP8 | 75mW |
| AQW216AX | -40℃～+100℃ | 1500V AC | Surface-Mount | 高性能与经济性兼顾的Photo MOS2a型！ | DIP8 | 75mW |
| AQW216AZ | -40℃～+100℃ | 1500V AC | Surface-Mount | 高性能与经济性兼顾的Photo MOS2a型！ | DIP8 | 75mW |
| AQW216EH | -40℃～+100℃ | 5000V AC | Through Hole | 实现了经济价格的低成本Photo MOS２ａ型！ | DIP8 | 75mW |
| AQW216EHA | -40℃～+100℃ | 5000V AC | Surface-Mount | 实现了经济价格的低成本Photo MOS２ａ型！ | DIP8 | 75mW |
| AQW217 | -40℃～+100℃ | 1500V AC | Through Hole | 高性能与经济性兼顾的Photo MOS2a型！ | DIP8 | 75mW |
| AQW217A | -40℃～+100℃ | 1500V AC | Surface-Mount | 高性能与经济性兼顾的Photo MOS2a型！ | DIP8 | 75mW |
| AQW217AX | -40℃～+100℃ | 1500V AC | Surface-Mount | 高性能与经济性兼顾的Photo MOS2a型！ | DIP8 | 75mW |
| AQW217AZ | -40℃～+100℃ | 1500V AC | Surface-Mount | 高性能与经济性兼顾的Photo MOS2a型！ | DIP8 | 75mW |
| AQW223R2S | -40℃～+100℃ | 1500V AC | Surface-Mount | 降低了负载电压250V时导通电阻及输出端子间容量的小型ＰｈｏｔｏＭＯＳ2a型 | SOP8 | 75mW |
| AQW224N | -40℃～+100℃ | 1500V AC | Through Hole | 实现了高速动作，低漏电流，低导通电阻的Photo MOS的2a型！ | DIP8 | 75mW |
粤公网安备 44030502003347号