光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)-AQW614

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AQW614

品牌：Panasonic

描述：GU 1a1b

包装：Tube packing

封装：DIP8

无铅情况/ROHS：无铅

类别：PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

经营商：优创科技

参数

参数	数值
动作时间(平均)	0.28ms(N.O.),0.43ms(N.C.)
输入/输出间端子容量(最大)	1.5pF
导通电阻(平均)	27 ohm
订货产品号	AQW614
连续负载电流	0.1A
部允许损耗	75mW
耐电压	1500V AC
输入/输出间端子容量(平均)	0.8pF
包装方式	Tube packing
国外标准	UL, C-UL
复位LED电流(最小)	0.4mA
LED反向电压	5V
复位LED电流(平均)	0.8mA
开路状态漏电流(最大)	1μA
端子形状	Through Hole
封装	DIP8
全部允许损耗	850mW
动作LED电流(平均)	0.9mA
触点结构	1a1b
使用环境温度	-40℃～+85℃
动作LED电流(最大)	3mA
复位时间(平均)	0.04ms(N.O.),0.3ms(N.C.)
推荐动作条件(输入LED电流)	5mA
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
保存温度	-40℃～+100℃
特点	高性能与经济性兼顾的Photo MOS1a1b型！
最大正向电流	1A
负载电压	400 V
LED压降(最大)	1.5V
导通电阻(最大)	50 ohm
最大允许LED电流	50mA
输出端子间容量(平均)	45 pF(N.O.),100 pF(N.C.)

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