光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

型号	保存温度	耐电压	端子形状	特点	封装	部允许损耗
AQZ202	-40℃～+100℃	2500V AC	Through Hole	ＰｈｏｔｏＭＯＳ的高功能保持不变，可进行功率控制的输出接口用Photo MOS	SIL4	75mW
AQZ202D	-40℃～+100℃	2500V AC	Through Hole	可控输入电压的ＰｈｏｔｏＭＯＳ功率型	SIL4	300mW
AQZ204	-40℃～+100℃	2500V AC	Through Hole	ＰｈｏｔｏＭＯＳ的高功能保持不变，可进行功率控制的输出接口用Photo MOS	SIL4	75mW
AQZ204D	-40℃～+100℃	2500V AC	Through Hole	可控输入电压的ＰｈｏｔｏＭＯＳ功率型	SIL4	300mW
AQZ205	-40℃～+100℃	2500V AC	Through Hole	ＰｈｏｔｏＭＯＳ的高功能保持不变，可进行功率控制的输出接口用Photo MOS	SIL4	75mW
AQZ205D	-40℃～+100℃	2500V AC	Through Hole	可控输入电压的ＰｈｏｔｏＭＯＳ功率型	SIL4	300mW
AQZ207	-40℃～+100℃	2500V AC	Through Hole	ＰｈｏｔｏＭＯＳ的高功能保持不变，可进行功率控制的输出接口用Photo MOS	SIL4	75mW
AQZ207D	-40℃～+100℃	2500V AC	Through Hole	可控输入电压的ＰｈｏｔｏＭＯＳ功率型	SIL4	300mW
AQZ262	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	可进行6A功率控制的输出接口用Photo MOS	SIL4	75mW
AQZ264	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	可进行6A功率控制的输出接口用Photo MOS	SIL4	75mW
AQZ404	-40℃～+100℃	2500V AC	Through Hole	可进行功率控制的输出接口用Photo MOS1b型	SIL4	75mW

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