光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)-AQW612EH

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AQW612EH

品牌：Panasonic

描述：GE 1a1b

包装：Tube packing

封装：DIP8

无铅情况/ROHS：无铅

类别：PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

经营商：瑞信杰创

参数

参数	数值
动作时间(平均)	1ms(N.O.),3ms(N.C.)
国外标准	UL, C-UL, VDE
LED压降(最大)	1.5V
使用环境温度	-40℃～+85℃
LED压降(平均)	1.25V
导通电阻(平均)	1 ohm
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
耐电压	5000V AC
特点	实现了经济价格的低成本类Photo MOS1ａ１ｂ型！
输入/输出间端子容量(平均)	0.8pF
复位LED电流(最小)	0.4mA
最大允许LED电流	50mA
复位时间(平均)	0.05ms(N.O.),0.2ms(N.C.)
输入/输出间端子容量(最大)	1.5pF
开路状态漏电流(最大)	1μA(N.O.),10μA(N.C.)
保存温度	-40℃～+100℃
端子形状	Through Hole
最大正向电流	1A
负载电压	60 V
导通电阻(最大)	2.5 ohm
动作LED电流(最大)	3mA
推荐动作条件(输入LED电流)	5-10mA
复位LED电流(平均)	1.3mA
连续负载电流	0.5A
封装	DIP8
包装方式	Tube packing
全部允许损耗	850mW
动作LED电流(平均)	1.4mA
触点结构	1a1b
LED反向电压	5V
订货产品号	AQW612EH
输出端子间容量(平均)	80 pF(N.O.),500 pF(N.C.)
部允许损耗	75mW

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