光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)-AQW614EHAZ

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AQW614EHAZ

品牌：Panasonic

描述：GE 1a1b

包装：tape and reel packing(Z)

封装：DIP8

无铅情况/ROHS：无铅

类别：PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

经营商：博迪通信

参数

参数	数值
封装	DIP8
动作时间(平均)	0.5ms(N.O.),0.8ms(N.C.)
全部允许损耗	850mW
导通电阻(平均)	26 ohm
复位LED电流(平均)	1.3mA
开路状态漏电流(最大)	1μA(N.O.),10μA(N.C.)
订货产品号	AQW614EHAZ
连续负载电流	0.1A
部允许损耗	75mW
保存温度	-40℃～+100℃
触点结构	1a1b
使用环境温度	-40℃～+85℃
动作LED电流(最大)	3mA
复位时间(平均)	0.08ms(N.O.),0.2ms(N.C.)
推荐动作条件(输入LED电流)	5-10mA
耐电压	5000V AC
输入/输出间端子容量(平均)	0.8pF
包装方式	tape and reel packing(Z)
动作LED电流(平均)	1.4mA
复位LED电流(最小)	0.4mA
LED反向电压	5V
LED压降(平均)	1.25V
输入/输出间端子容量(最大)	1.5pF
端子形状	Surface-Mount
特点	实现了经济价格的低成本类Photo MOS1ａ１ｂ型！
最大正向电流	1A
国外标准	UL, C-UL, BSI
负载电压	400 V
LED压降(最大)	1.5V
导通电阻(最大)	35 ohm
最大允许LED电流	50mA
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
输出端子间容量(平均)	45 pF(N.O.),100 pF(N.C.)

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