光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)-AQW610SX

参数	数值
输入/输出间端子容量(平均)	0.8pF
包装方式	tape and reel packing(X)
负载电压	350 V
动作LED电流(平均)	0.9mA
触点结构	1a1b
LED反向电压	5V
动作LED电流(最大)	3mA
复位时间(平均)	0.04ms(N.O.),0.23ms(N.C.)
导通电阻(平均)	18 ohm
订货产品号	AQW610SX
端子形状	Surface-Mount
国外标准	UL, C-UL, BSI
LED压降(最大)	1.5V
导通电阻(最大)	25 ohm
复位LED电流(最小)	0.4mA
最大允许LED电流	50mA
输入/输出间端子容量(最大)	1.5pF
保存温度	-40℃～+100℃
特点	实现了超小型化的高性能Photo MOSSO封装1a1b型
封装	SOP8
动作时间(平均)	0.28ms(N.O.),0.52ms(N.C.)
最大正向电流	1A
输出端子间容量(平均)	45 pF(N.O.),100 pF(N.C.)
连续负载电流	0.1A
部允许损耗	75mW
耐电压	1500V AC
全部允许损耗	650mW
使用环境温度	-40℃～+85℃
推荐动作条件(输入LED电流)	5mA
复位LED电流(平均)	0.8mA
开路状态漏电流(最大)	1μA
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm