光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)-AQW612S

参数	数值
端子形状	Surface-Mount
特点	实现了超小型化的高性能Photo MOSSO封装1a1b型
最大正向电流	1A
国外标准	UL, C-UL, VDE
全部允许损耗	650mW
负载电压	60 V
LED压降(最大)	1.5V
最大允许LED电流	50mA
推荐动作条件(输入LED电流)	5mA
导通电阻(平均)	1 ohm
复位LED电流(平均)	0.8mA
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
连续负载电流	0.45A
耐电压	1500V AC
输入/输出间端子容量(平均)	0.8pF
包装方式	Tube packing
复位LED电流(最小)	0.4mA
LED反向电压	5V
输入/输出间端子容量(最大)	1.5pF
开路状态漏电流(最大)	1μA
输出端子间容量(平均)	80 pF(N.O.) 500 pF(N.C.)
保存温度	-40℃～+100℃
动作LED电流(平均)	0.9mA
触点结构	1a1b
使用环境温度	-40℃～+85℃
导通电阻(最大)	2.5 ohm
动作LED电流(最大)	3mA
复位时间(平均)	0.08ms(N.O.),0.2ms(N.C.)
订货产品号	AQW612S
封装	SOP8
动作时间(平均)	0.65ms(N.O.),0.9ms(N.C.)
部允许损耗	75mW