光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)-AQW614A

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AQW614A

品牌：Panasonic

描述：GU 1a1b

包装：Tube packing

封装：DIP8

无铅情况/ROHS：无铅

类别：PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

经营商：协诺通信

参数

参数	数值
保存温度	-40℃～+100℃
端子形状	Surface-Mount
最大正向电流	1A
国外标准	UL, C-UL
负载电压	400 V
导通电阻(最大)	50 ohm
最大允许LED电流	50mA
动作LED电流(最大)	3mA
复位时间(平均)	0.04ms(N.O.),0.3ms(N.C.)
耐电压	1500V AC
输入/输出间端子容量(平均)	0.8pF
包装方式	Tube packing
LED反向电压	5V
复位LED电流(平均)	0.8mA
开路状态漏电流(最大)	1μA
订货产品号	AQW614A
输出端子间容量(平均)	45 pF(N.O.),100 pF(N.C.)
部允许损耗	75mW
特点	高性能与经济性兼顾的Photo MOS1a1b型！
封装	DIP8
全部允许损耗	850mW
动作LED电流(平均)	0.9mA
LED压降(最大)	1.5V
触点结构	1a1b
使用环境温度	-40℃～+85℃
推荐动作条件(输入LED电流)	5mA
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
动作时间(平均)	0.28ms(N.O.),0.43ms(N.C.)
复位LED电流(最小)	0.4mA
输入/输出间端子容量(最大)	1.5pF
导通电阻(平均)	27 ohm
连续负载电流	0.1A

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