光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)-AQW227N

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AQW227N

品牌：Panasonic

描述：RF 2a 低导通电阻

包装：Tube packing

封装：DIP8

无铅情况/ROHS：无铅

类别：PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

经营商：优创科技

参数

参数	数值
最大正向电流	1A
LED压降(最大)	1.5V
导通电阻(最大)	50 ohm
最大允许LED电流	50mA
推荐动作条件(输入LED电流)	5mA
复位LED电流(平均)	0.8mA
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
订货产品号	AQW227N
保存温度	-40℃～+100℃
端子形状	Through Hole
动作时间(平均)	0.2ms
全部允许损耗	850mW
动作LED电流(平均)	0.9mA
使用环境温度	-40℃～+85℃
动作LED电流(最大)	3mA
导通电阻(平均)	30 ohm
连续负载电流	0.05A
耐电压	1500V AC
特点	实现了高速动作，低漏电流，低导通电阻的Photo MOS的2a型！
输入/输出间端子容量(平均)	0.8pF
包装方式	Tube packing
国外标准	UL, C-UL
负载电压	200 V
触点结构	2a
复位LED电流(最小)	0.4mA
LED反向电压	5V
复位时间(平均)	0.08ms
输入/输出间端子容量(最大)	1.5pF
开路状态漏电流(最大)	10nA
封装	DIP8
输出端子间容量(平均)	10 pF
部允许损耗	75mW

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