光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)-AQW454A

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AQW454A

品牌：Panasonic

描述：HE 2b

包装：Tube packing

封装：DIP8

无铅情况/ROHS：无铅

类别：PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

经营商：博迪通信

参数

参数	数值
封装	DIP8
全部允许损耗	850mW
LED反向电压	5V
订货产品号	AQW454A
连续负载电流	0.12A
部允许损耗	75mW
保存温度	-40℃～+100℃
负载电压	400 V
动作LED电流(平均)	0.9mA
使用环境温度	-40℃～+85℃
动作LED电流(最大)	3mA
复位时间(平均)	0.36ms
导通电阻(平均)	11 ohm
端子形状	Surface-Mount
输入/输出间端子容量(平均)	0.8pF
包装方式	Tube packing
国外标准	UL, C-UL
触点结构	2b
复位LED电流(最小)	0.4mA
最大允许LED电流	50mA
输入/输出间端子容量(最大)	1.5pF
输出端子间容量(平均)	170 pF
耐电压	1500V AC
特点	低导通电阻与经济性兼顾的Photo MOS２ｂ型！
动作时间(平均)	1.2ms
最大正向电流	1A
LED压降(最大)	1.5V
导通电阻(最大)	16 ohm
推荐动作条件(输入LED电流)	5mA
复位LED电流(平均)	0.8mA
开路状态漏电流(最大)	1μA
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm

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