光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)-AQW414EHA

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AQW414EHA

品牌：Panasonic

描述：GE 2b

包装：Tube packing

封装：DIP8

无铅情况/ROHS：无铅

类别：PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

经营商：博迪通信

参数

参数	数值
保存温度	-40℃～+100℃
端子形状	Surface-Mount
特点	实现了经济价格的低成本Photo MOS２ｂ型！
输入/输出间端子容量(平均)	0.8pF
包装方式	Tube packing
国外标准	UL, C-UL, BSI
负载电压	400 V
最大允许LED电流	50mA
动作LED电流(最大)	3mA
复位时间(平均)	0.3ms
复位LED电流(平均)	1.2mA
最大正向电流	1A
导通电阻(最大)	35 ohm
LED反向电压	5V
LED压降(平均)	1.25V
导通电阻(平均)	26 ohm
输出端子间容量(平均)	100 pF
连续负载电流	0.1A
部允许损耗	75mW
封装	DIP8
全部允许损耗	850mW
动作LED电流(平均)	1.3mA
LED压降(最大)	1.5V
开路状态漏电流(最大)	10μA
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
耐电压	5000V AC
动作时间(平均)	0.8ms
触点结构	2b
使用环境温度	-40℃～+85℃
复位LED电流(最小)	0.4mA
输入/输出间端子容量(最大)	1.5pF
推荐动作条件(输入LED电流)	5-10mA
订货产品号	AQW414EHA

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