光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

型号	保存温度	耐电压	端子形状	特点	封装	部允许损耗
AQW210EHAX	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本Photo MOS２ａ型！	DIP8	75mW
AQW210EHAZ	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本Photo MOS２ａ型！	DIP8	75mW
AQW210HL	-40℃～+100℃	5000V AC	Through Hole	附带限流功能的２ａ型Photo MOS	DIP8	75mW
AQW210HLA	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	附带限流功能的２ａ型Photo MOS	DIP8	75mW
AQW210HLAX	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	附带限流功能的２ａ型Photo MOS	DIP8	75mW
AQW210HLAZ	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	附带限流功能的２ａ型Photo MOS	DIP8	75mW
AQW210S	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了超小型化的高性能半导体ＳＯ封装２a型	SOP8	75mW
AQW210SX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了超小型化的高性能半导体ＳＯ封装２a型	SOP8	75mW
AQW210SZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了超小型化的高性能半导体ＳＯ封装２a型	SOP8	75mW
AQW212	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	高性能与经济性兼顾的Photo MOS2a型！	DIP8	75mW
AQW212A	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	高性能与经济性兼顾的Photo MOS2a型！	DIP8	75mW
AQW212AX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	高性能与经济性兼顾的Photo MOS2a型！	DIP8	75mW
AQW212AZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	高性能与经济性兼顾的Photo MOS2a型！	DIP8	75mW
AQW212EH	-40℃～+100℃	5000V AC	Through Hole	实现了经济价格的低成本Photo MOS２ａ型！	DIP8	75mW
AQW212EHA	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本Photo MOS２ａ型！	DIP8	75mW
AQW214	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	高性能与经济性兼顾的Photo MOS2a型！	DIP8	75mW
AQW214A	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	高性能与经济性兼顾的Photo MOS2a型！	DIP8	75mW
AQW214AX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	高性能与经济性兼顾的Photo MOS2a型！	DIP8	75mW
AQW214AZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	高性能与经济性兼顾的Photo MOS2a型！	DIP8	75mW
AQW214EH	-40℃～+100℃	5000V AC	Through Hole	实现了经济价格的低成本Photo MOS２ａ型！	DIP8	75mW

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