光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

型号	保存温度	耐电压	端子形状	特点	封装	部允许损耗
AQV257AX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	低导通电阻与经济性兼顾，品种丰富的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV258	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	低导通电阻与经济性兼顾，品种丰富的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV258A	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	低导通电阻与经济性兼顾，品种丰富的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV258AX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	低导通电阻与经济性兼顾，品种丰富的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV258AZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	低导通电阻与经济性兼顾，品种丰富的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV259	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	低导通电阻与经济性兼顾，品种丰富的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV259A	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	低导通电阻与经济性兼顾，品种丰富的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV259AX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	低导通电阻与经济性兼顾，品种丰富的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV259AZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	低导通电阻与经济性兼顾，品种丰富的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV410EH	-40℃～+100℃	5000V AC	Through Hole	实现了经济价格的低成本型Photo MOS常闭型	DIP6	75mW
AQV410EHA	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本型Photo MOS常闭型	DIP6	75mW
AQV410EHAX	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本型Photo MOS常闭型	DIP6	75mW
AQV410EHAZ	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本型Photo MOS常闭型	DIP6	75mW
AQV414	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	实现了常闭型（b触点）划时代的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV414A	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了常闭型（b触点）划时代的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV414AX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了常闭型（b触点）划时代的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV414AZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了常闭型（b触点）划时代的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV414E	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	实现了经济价格的低成本型Photo MOS常闭型	DIP6	75mW
AQV414EA	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本型Photo MOS常闭型	DIP6	75mW
AQV414EAX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本型Photo MOS常闭型	DIP6	75mW

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