光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

型号	保存温度	耐电压	端子形状	特点	封装	部允许损耗
AQV225AX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	可控制高频信号的Photo MOS最适合进行视频信号，高速脉冲的控制	DIP6	75mW
AQV227N	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	实现了高速动作，低漏电流以及低导通电阻的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV227NA	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了高速动作，低漏电流以及低导通电阻的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV227NAX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了高速动作，低漏电流以及低导通电阻的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV227NS	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	兼备高速动作，低漏电流以及低导通电阻的小型ＰｈｏｔｏＭＯＳ	SOP6	75mW
AQV227NSX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	兼备高速动作，低漏电流以及低导通电阻的小型ＰｈｏｔｏＭＯＳ	SOP6	75mW
AQV234	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	利用本公司独特的ＭＯＳ驱动电路，实现了高灵敏度化！	DIP6	75mW
AQV234A	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	利用本公司独特的ＭＯＳ驱动电路，实现了高灵敏度化！	DIP6	75mW
AQV234AX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	利用本公司独特的ＭＯＳ驱动电路，实现了高灵敏度化！	DIP6	75mW
AQV251	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	低导通电阻与经济性兼顾，品种丰富的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV251A	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	低导通电阻与经济性兼顾，品种丰富的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV251AX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	低导通电阻与经济性兼顾，品种丰富的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV251AZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	低导通电阻与经济性兼顾，品种丰富的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV252	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	低导通电阻与经济性兼顾，品种丰富的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV252A	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	低导通电阻与经济性兼顾，品种丰富的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV252AX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	低导通电阻与经济性兼顾，品种丰富的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV252AZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	低导通电阻与经济性兼顾，品种丰富的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV252G	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	采用了新一代的ＭＯＳ，大幅度提高了负载电流值	DIP6	75mW
AQV252GA	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	采用了新一代的ＭＯＳ，大幅度提高了负载电流值	DIP6	75mW
AQV252GAX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	采用了新一代的ＭＯＳ，大幅度提高了负载电流值	DIP6	75mW

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