光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

型号	保存温度	耐电压	端子形状	特点	封装	部允许损耗
AQV414EH	-40℃～+100℃	5000V AC	Through Hole	实现了经济价格的低成本型Photo MOS常闭型	DIP6	75mW
AQV414EHA	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本型Photo MOS常闭型	DIP6	75mW
AQV414EHAZ	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本型Photo MOS常闭型	DIP6	75mW
AQV414S	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	将常闭(b触点)浓缩在SO封装内！	SOP6	75mW
AQV414SX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	将常闭(b触点)浓缩在SO封装内！	SOP6	75mW
AQV414SZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	将常闭(b触点)浓缩在SO封装内！	SOP6	75mW
AQV453	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	低通导电阻与经济性兼顾的导体继电器１b型	DIP6	75mW
AQV453A	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	低通导电阻与经济性兼顾的导体继电器１b型	DIP6	75mW
AQV453AX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	低通导电阻与经济性兼顾的导体继电器１b型	DIP6	75mW
AQV453AZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	低通导电阻与经济性兼顾的导体继电器１b型	DIP6	75mW
AQV454A	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	低通导电阻与经济性兼顾的导体继电器１b型	DIP6	75mW
AQV454H	-40℃～+100℃	5000V AC	Through Hole	低通导电阻与经济性兼顾的导体继电器１b型	DIP6	75mW
AQV454HA	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	低通导电阻与经济性兼顾的导体继电器１b型	DIP6	75mW
AQV454HAZ	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	低通导电阻与经济性兼顾的导体继电器１b型	DIP6	75mW
AQW210	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	高性能与经济性兼顾的Photo MOS2a型！	DIP8	75mW
AQW210A	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	高性能与经济性兼顾的Photo MOS2a型！	DIP8	75mW
AQW210AX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	高性能与经济性兼顾的Photo MOS2a型！	DIP8	75mW
AQW210AZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	高性能与经济性兼顾的Photo MOS2a型！	DIP8	75mW
AQW210EH	-40℃～+100℃	5000V AC	Through Hole	实现了经济价格的低成本Photo MOS２ａ型！	DIP8	75mW
AQW210EHA	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本Photo MOS２ａ型！	DIP8	75mW

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