光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)-AQV410EHA

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AQV410EHA

品牌：Panasonic

描述：GE 1b(6pin)

包装：Tube packing

封装：DIP6

无铅情况/ROHS：无铅

类别：PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

经营商：博迪通信

参数

参数	数值
保存温度	-40℃～+100℃
端子形状	Surface-Mount
输入/输出间端子容量(平均)	0.8pF
最大正向电流	1A
国外标准	UL, C-UL, BSI
负载电压	350 V
触点结构	1b
最大允许LED电流	50mA
动作LED电流(最大)	3mA
复位时间(平均)	0.3ms
订货产品号	AQV410EHA
输出端子间容量(平均)	110 pF
包装方式	Tube packing
导通电阻(最大)	35 ohm
LED反向电压	5V
LED压降(平均)	1.25V
复位LED电流(平均)	1.8mA
连续负载电流	0.13A
部允许损耗	75mW
特点	实现了经济价格的低成本型Photo MOS常闭型
动作时间(平均)	1.5ms
全部允许损耗	550mW
动作LED电流(平均)	1.9mA
LED压降(最大)	1.5V
导通电阻(平均)	18 ohm
开路状态漏电流(最大)	10μA
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
耐电压	5000V AC
封装	DIP6
使用环境温度	-40℃～+85℃
复位LED电流(最小)	0.4mA
输入/输出间端子容量(最大)	1.5pF
推荐动作条件(输入LED电流)	5-10mA

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