光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)-AQV259

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AQV259

品牌：Panasonic

描述：HE 1a(6pin)

包装：Tube packing

封装：DIP6

无铅情况/ROHS：无铅

类别：PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

经营商：瑞信杰创

参数

参数	数值
输入/输出间端子容量(平均)	1.3pF
包装方式	Tube packing
动作LED电流(平均)	0.9mA
触点结构	1a
导通电阻(最大)	200 ohm
LED反向电压	5V
连续负载电流	0.03A
封装	DIP6
动作时间(平均)	0.6ms
国外标准	UL, C-UL
全部允许损耗	410mW
复位LED电流(最小)	0.4mA
最大允许LED电流	50mA
复位时间(平均)	0.04ms
输入/输出间端子容量(最大)	3pF
导通电阻(平均)	85 ohm
保存温度	-40℃～+100℃
最大正向电流	1A
动作LED电流(最大)	3mA
订货产品号	AQV259
输出端子间容量(平均)	80 pF
部允许损耗	75mW
耐电压	1500V AC
端子形状	Through Hole
特点	低导通电阻与经济性兼顾，品种丰富的Photo MOS
负载电压	1000 V
LED压降(最大)	1.5V
使用环境温度	-40℃～+85℃
推荐动作条件(输入LED电流)	5mA
复位LED电流(平均)	0.8mA
开路状态漏电流(最大)	10μA
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm

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