光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

型号	保存温度	耐电压	端子形状	特点	封装	部允许损耗
AQV214EAZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本Photo MOS	DIP6	75mW
AQV214EH	-40℃～+100℃	5000V AC	Through Hole	实现了经济价格的低成本Photo MOS	DIP6	75mW
AQV214EHA	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本Photo MOS	DIP6	75mW
AQV214EHAX	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本Photo MOS	DIP6	75mW
AQV214EHAZ	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本Photo MOS	DIP6	75mW
AQV214H	-40℃～+100℃	5000V AC	Through Hole	高性能和高可靠性的Photo MOS，同时还具备很好的经济性！	DIP6	75mW
AQV214HA	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	高性能和高可靠性的Photo MOS，同时还具备很好的经济性！	DIP6	75mW
AQV214S	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	通过将超微细加工技术和最新半导体技术相融合，实现了小型ＰｈｏｔｏＭＯＳ	SOP6	75mW
AQV214SX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	通过将超微细加工技术和最新半导体技术相融合，实现了小型ＰｈｏｔｏＭＯＳ	SOP6	75mW
AQV214SZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	通过将超微细加工技术和最新半导体技术相融合，实现了小型ＰｈｏｔｏＭＯＳ	SOP6	75mW
AQV215	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	高性能和高可靠性的Photo MOS，同时还具备很好的经济性！	DIP6	75mW
AQV215A	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	高性能和高可靠性的Photo MOS，同时还具备很好的经济性！	DIP6	75mW
AQV215AZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	高性能和高可靠性的Photo MOS，同时还具备很好的经济性！	DIP6	75mW
AQV215S	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	通过将超微细加工技术和最新半导体技术相融合，实现了小型ＰｈｏｔｏＭＯＳ	SOP6	75mW
AQV215SX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	通过将超微细加工技术和最新半导体技术相融合，实现了小型ＰｈｏｔｏＭＯＳ	SOP6	75mW
AQV215SZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	通过将超微细加工技术和最新半导体技术相融合，实现了小型ＰｈｏｔｏＭＯＳ	SOP6	75mW
AQV216	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	高性能和高可靠性的Photo MOS，同时还具备很好的经济性！	DIP6	75mW
AQV216A	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	高性能和高可靠性的Photo MOS，同时还具备很好的经济性！	DIP6	75mW
AQV216AX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	高性能和高可靠性的Photo MOS，同时还具备很好的经济性！	DIP6	75mW
AQV216S	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	通过将超微细加工技术和最新半导体技术相融合，实现了小型ＰｈｏｔｏＭＯＳ	SOP6	75mW

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