光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)-AQV214SX

参数	数值
保存温度	-40℃～+100℃
封装	SOP6
输入/输出间端子容量(平均)	0.8pF
动作时间(平均)	0.25ms
包装方式	tape and reel packing(X)
国外标准	UL, C-UL
全部允许损耗	500mW
触点结构	1a
LED反向电压	5V
动作LED电流(最大)	3mA
导通电阻(平均)	30 ohm
最大正向电流	1A
负载电压	400 V
动作LED电流(平均)	0.7mA
导通电阻(最大)	50 ohm
连续负载电流	0.1A
部允许损耗	75mW
端子形状	Surface-Mount
特点	通过将超微细加工技术和最新半导体技术相融合，实现了小型ＰｈｏｔｏＭＯＳ
LED压降(最大)	1.5V
最大允许LED电流	50mA
复位时间(平均)	0.05ms
推荐动作条件(输入LED电流)	5mA
复位LED电流(平均)	0.65mA
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
耐电压	1500V AC
使用环境温度	-40℃～+85℃
复位LED电流(最小)	0.4mA
LED压降(平均)	1.25V
输入/输出间端子容量(最大)	1.5pF
开路状态漏电流(最大)	1μA
订货产品号	AQV214SX
输出端子间容量(平均)	45 pF