光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)-AQV214S

参数	数值
使用环境温度	-40℃～+85℃
复位LED电流(最小)	0.4mA
输入/输出间端子容量(最大)	1.5pF
输出端子间容量(平均)	45 pF
耐电压	1500V AC
最大正向电流	1A
动作LED电流(平均)	0.7mA
LED压降(平均)	1.25V
开路状态漏电流(最大)	1μA
连续负载电流	0.1A
部允许损耗	75mW
特点	通过将超微细加工技术和最新半导体技术相融合，实现了小型ＰｈｏｔｏＭＯＳ
LED压降(最大)	1.5V
最大允许LED电流	50mA
复位时间(平均)	0.05ms
推荐动作条件(输入LED电流)	5mA
复位LED电流(平均)	0.65mA
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
订货产品号	AQV214S
保存温度	-40℃～+100℃
端子形状	Surface-Mount
封装	SOP6
输入/输出间端子容量(平均)	0.8pF
动作时间(平均)	0.25ms
包装方式	Tube packing
国外标准	UL, C-UL
全部允许损耗	500mW
负载电压	400 V
触点结构	1a
导通电阻(最大)	50 ohm
LED反向电压	5V
动作LED电流(最大)	3mA
导通电阻(平均)	30 ohm