光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

型号	保存温度	耐电压	端子形状	特点	封装	部允许损耗
AQV210EHA	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本Photo MOS	DIP6	75mW
AQV210EHAX	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本Photo MOS	DIP6	75mW
AQV210EHAZ	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本Photo MOS	DIP6	75mW
AQV210S	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	通过将超微细加工技术和最新半导体技术相融合，实现了小型ＰｈｏｔｏＭＯＳ	SOP6	75mW
AQV210SX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	通过将超微细加工技术和最新半导体技术相融合，实现了小型ＰｈｏｔｏＭＯＳ	SOP6	75mW
AQV210SZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	通过将超微细加工技术和最新半导体技术相融合，实现了小型ＰｈｏｔｏＭＯＳ	SOP6	75mW
AQV212	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	高性能和高可靠性的Photo MOS，同时还具备很好的经济性！	DIP6	75mW
AQV212A	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	高性能和高可靠性的Photo MOS，同时还具备很好的经济性！	DIP6	75mW
AQV212AX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	高性能和高可靠性的Photo MOS，同时还具备很好的经济性！	DIP6	75mW
AQV212AZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	高性能和高可靠性的Photo MOS，同时还具备很好的经济性！	DIP6	75mW
AQV212S	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	通过将超微细加工技术和最新半导体技术相融合，实现了小型ＰｈｏｔｏＭＯＳ	SOP6	75mW
AQV212SX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	通过将超微细加工技术和最新半导体技术相融合，实现了小型ＰｈｏｔｏＭＯＳ	SOP6	75mW
AQV212SZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	通过将超微细加工技术和最新半导体技术相融合，实现了小型ＰｈｏｔｏＭＯＳ	SOP6	75mW
AQV214	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	高性能和高可靠性的Photo MOS，同时还具备很好的经济性！	DIP6	75mW
AQV214A	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	高性能和高可靠性的Photo MOS，同时还具备很好的经济性！	DIP6	75mW
AQV214AX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	高性能和高可靠性的Photo MOS，同时还具备很好的经济性！	DIP6	75mW
AQV214AZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	高性能和高可靠性的Photo MOS，同时还具备很好的经济性！	DIP6	75mW
AQV214E	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	实现了经济价格的低成本Photo MOS	DIP6	75mW
AQV214EA	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本Photo MOS	DIP6	75mW
AQV214EAX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本Photo MOS	DIP6	75mW

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