光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)-AQV215S

参数	数值
端子形状	Surface-Mount
封装	SOP6
最大正向电流	1A
全部允许损耗	500mW
动作LED电流(平均)	0.7mA
LED压降(最大)	1.5V
最大允许LED电流	50mA
导通电阻(平均)	2.3 ohm
复位LED电流(平均)	0.65mA
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
保存温度	-40℃～+100℃
触点结构	1a
使用环境温度	-40℃～+85℃
动作LED电流(最大)	3mA
推荐动作条件(输入LED电流)	5mA
输出端子间容量(平均)	110 pF
连续负载电流	0.3A
耐电压	1500V AC
输入/输出间端子容量(平均)	0.8pF
动作时间(平均)	0.6ms
包装方式	Tube packing
国外标准	UL, C-UL
复位LED电流(最小)	0.4mA
LED反向电压	5V
LED压降(平均)	1.25V
输入/输出间端子容量(最大)	1.5pF
开路状态漏电流(最大)	1μA
特点	通过将超微细加工技术和最新半导体技术相融合，实现了小型ＰｈｏｔｏＭＯＳ
负载电压	100 V
导通电阻(最大)	4 ohm
复位时间(平均)	0.06ms
订货产品号	AQV215S
部允许损耗	75mW