光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)-AQV414EH

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AQV414EH

品牌：Panasonic

描述：GE 1b(6pin)

包装：Tube packing

封装：DIP6

无铅情况/ROHS：无铅

类别：PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

经营商：瑞信杰创

参数

参数	数值
耐电压	5000V AC
端子形状	Through Hole
使用环境温度	-40℃～+85℃
复位LED电流(最小)	0.4mA
LED压降(平均)	1.25V
输入/输出间端子容量(最大)	1.5pF
推荐动作条件(输入LED电流)	5-10mA
特点	实现了经济价格的低成本型Photo MOS常闭型
封装	DIP6
国外标准	UL, C-UL, BSI
全部允许损耗	550mW
LED压降(最大)	1.5V
最大允许LED电流	50mA
开路状态漏电流(最大)	10μA
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
最大正向电流	1A
负载电压	400 V
导通电阻(最大)	50 ohm
复位时间(平均)	0.3ms
导通电阻(平均)	25.2 ohm
订货产品号	AQV414EH
输出端子间容量(平均)	100 pF
连续负载电流	0.12A
部允许损耗	75mW
保存温度	-40℃～+100℃
输入/输出间端子容量(平均)	0.8pF
动作时间(平均)	1.3ms
包装方式	Tube packing
动作LED电流(平均)	1.9mA
触点结构	1b
LED反向电压	5V
动作LED电流(最大)	3mA
复位LED电流(平均)	1.8mA

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