光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)-AQV252G

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AQV252G

品牌：Panasonic

描述：HE 1a 高容量(6pin)

包装：Tube packing

封装：DIP6

无铅情况/ROHS：无铅

类别：PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

经营商：瑞信杰创

参数

参数	数值
端子形状	Through Hole
封装	DIP6
动作时间(平均)	1.1ms
使用环境温度	-40℃～+85℃
导通电阻(最大)	0.12 ohm
复位LED电流(最小)	0.2mA
输入/输出间端子容量(最大)	1.5pF
推荐动作条件(输入LED电流)	5-10mA
复位LED电流(平均)	0.45mA
耐电压	1500V AC
最大正向电流	1A
国外标准	UL, C-UL, VDE
负载电压	60 V
动作LED电流(平均)	0.5mA
LED反向电压	5V
导通电阻(平均)	0.08 ohm
开路状态漏电流(最大)	1μA
订货产品号	AQV252G
部允许损耗	75mW
特点	采用了新一代的ＭＯＳ，大幅度提高了负载电流值
全部允许损耗	550mW
LED压降(最大)	1.5V
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
保存温度	-40℃～+100℃
输入/输出间端子容量(平均)	0.8pF
包装方式	Tube packing
触点结构	1a
最大允许LED电流	50mA
动作LED电流(最大)	3mA
复位时间(平均)	0.25ms
输出端子间容量(平均)	240 pF
连续负载电流	2.5A

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