光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)-AQV227N

品牌：Panasonic

描述：RF 1a 低导通电阻(6in)

包装：Tube packing

封装：DIP6

无铅情况/ROHS：无铅

类别：PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

经营商：博迪通信

参数	数值
端子形状	Through Hole
封装	DIP6
全部允许损耗	410mW
负载电压	200 V
使用环境温度	-40℃～+85℃
复位LED电流(最小)	0.4mA
复位时间(平均)	0.08ms
输入/输出间端子容量(最大)	1.5pF
复位LED电流(平均)	0.85mA
开路状态漏电流(最大)	10nA
订货产品号	AQV227N
耐电压	1500V AC
最大正向电流	1A
导通电阻(最大)	50 ohm
输出端子间容量(平均)	10 pF
连续负载电流	0.07A
部允许损耗	75mW
特点	实现了高速动作，低漏电流以及低导通电阻的Photo MOS
LED压降(最大)	1.5V
最大允许LED电流	50mA
推荐动作条件(输入LED电流)	5mA
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
保存温度	-40℃～+100℃
输入/输出间端子容量(平均)	0.8pF
动作时间(平均)	0.2ms
包装方式	Tube packing
国外标准	UL, C-UL
动作LED电流(平均)	0.9mA
触点结构	1a
LED反向电压	5V
动作LED电流(最大)	3mA
导通电阻(平均)	30 ohm