光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

型号	保存温度	耐电压	端子形状	特点	封装	部允许损耗
AQS221FN2S	-40℃～+100℃	500V AC	Surface-Mount	-	SOP16	260mW
AQS221FN2SX	-40℃～+100℃	500V AC	Surface-Mount	-	SOP16	260mW
AQS221FN2SZ	-40℃～+100℃	500V AC	Surface-Mount	-	SOP16	260mW
AQS221FR2S	-40℃～+100℃	500V AC	Surface-Mount	-	SOP16	260mW
AQS221FR2SX	-40℃～+100℃	500V AC	Surface-Mount	-	SOP16	260mW
AQS221FR2SZ	-40℃～+100℃	500V AC	Surface-Mount	-	SOP16	260mW
AQS225R2S	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	负载电压80V，低CXR型的Photo MOS浓缩为超小型SO封装(4a输出)	SOP16	75mW
AQV101	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	实现了低通导电阻的高功能Photo MOS	DIP6	150mW
AQV101A	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了低通导电阻的高功能Photo MOS	DIP6	150mW
AQV101AX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了低通导电阻的高功能Photo MOS	DIP6	150mW
AQV101AZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了低通导电阻的高功能Photo MOS	DIP6	150mW
AQV102	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	实现了低通导电阻的高功能Photo MOS	DIP6	150mW
AQV102A	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了低通导电阻的高功能Photo MOS	DIP6	150mW
AQV103	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	实现了低通导电阻的高功能Photo MOS	DIP6	150mW
AQV103A	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了低通导电阻的高功能Photo MOS	DIP6	150mW
AQV104	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	实现了低通导电阻的高功能Photo MOS	DIP6	150mW
AQV104A	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了低通导电阻的高功能Photo MOS	DIP6	150mW
AQV104AX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了低通导电阻的高功能Photo MOS	DIP6	150mW
AQV104AZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了低通导电阻的高功能Photo MOS	DIP6	150mW
AQV112KL	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	附带自复位型短路保护功能的6脚DIP的Photo MOS	DIP6	75mW

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