光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)-AQV214

参数	数值
耐电压	1500V AC
端子形状	Through Hole
特点	高性能和高可靠性的Photo MOS，同时还具备很好的经济性！
LED压降(最大)	1.5V
使用环境温度	-40℃～+85℃
LED压降(平均)	1.25V
推荐动作条件(输入LED电流)	5mA
开路状态漏电流(最大)	1μA
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
输出端子间容量(平均)	45 pF
保存温度	-40℃～+100℃
动作时间(平均)	0.21ms
最大正向电流	1A
负载电压	400 V
导通电阻(最大)	50 ohm
连续负载电流	0.12A
部允许损耗	75mW
封装	DIP6
国外标准	UL, C-UL
复位LED电流(最小)	0.4mA
最大允许LED电流	50mA
输入/输出间端子容量(最大)	1.5pF
输入/输出间端子容量(平均)	0.8pF
包装方式	Tube packing
全部允许损耗	550mW
动作LED电流(平均)	1mA
触点结构	1a
LED反向电压	5V
动作LED电流(最大)	3mA
复位时间(平均)	0.05ms
导通电阻(平均)	30 ohm
复位LED电流(平均)	0.79mA
订货产品号	AQV214