光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)-AQS221FN2SX

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AQS221FN2SX

品牌：Panasonic

描述：RF SOP4a C×R10 电压驱动

包装：tape and reel packing(X)

封装：SOP16

无铅情况/ROHS：无铅

类别：PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

经营商：博迪通信

参数

参数	数值
耐电压	500V AC
动作时间(平均)	0.02ms
国外标准	-
输入逆电压(中文用)	5V
使用环境温度	-40℃～+85℃
复位电压(最小)	0.8V
输入电压(中文用)	6V
输入电流(平均)(中文用)	8.5mA
输入/输出间端子容量(最大)	1.5pF
开路状态漏电流(最大)	10nA
订货产品号	AQS221FN2SX
部允许损耗	260mW
触点结构	4a
动作电压(平均)	1.4V
复位时间(平均)	0.02ms
端子形状	Surface-Mount
特点	-
全部允许损耗	650mW
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
输出端子间容量(平均)	1 pF
保存温度	-40℃～+100℃
封装	SOP16
输入/输出间端子容量(平均)	0.8pF
包装方式	tape and reel packing(X)
负载电压	40 V
导通电阻(最大)	12.5 ohm
复位电压(平均)	1.4V
推荐动作条件(输入LED电流)	5V(Input voltage)
导通电阻(平均)	9.5 ohm
动作电压(最大)	4V
连续负载电流	0.06A

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