光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)-AQV101AZ

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AQV101AZ

品牌：Panasonic

描述：HF 1a(6pin)

包装：tape and reel packing(Z)

封装：DIP6

无铅情况/ROHS：无铅

类别：PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

经营商：瑞信杰创

参数

参数	数值
耐电压	1500V AC
动作时间(平均)	0.23ms
使用环境温度	-40℃～+85℃
导通电阻(最大)	0.5 ohm
开路状态漏电流(最大)	1μA
端子形状	Surface-Mount
特点	实现了低通导电阻的高功能Photo MOS
封装	DIP6
全部允许损耗	410mW
最大允许LED电流	50mA
复位时间(平均)	0.07ms
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
部允许损耗	150mW
最大正向电流	1A
动作LED电流(平均)	2.3mA
复位LED电流(最小)	0.8mA
LED反向电压	10V
动作LED电流(最大)	5mA
订货产品号	AQV101AZ
输出端子间容量(平均)	600 pF
保存温度	-40℃～+100℃
输入/输出间端子容量(平均)	1.3pF
包装方式	tape and reel packing(Z)
国外标准	UL, C-UL
负载电压	40 V
LED压降(最大)	3V
触点结构	1a
输入/输出间端子容量(最大)	3pF
推荐动作条件(输入LED电流)	10mA
导通电阻(平均)	0.3 ohm
复位LED电流(平均)	2.2mA
连续负载电流	0.7A

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