光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

型号	保存温度	耐电压	端子形状	特点	封装	部允许损耗
AQV412EHAZ	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本型Photo MOS常闭型	DIP6	75mW
AQV414EAZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本型Photo MOS常闭型	DIP6	75mW
AQV414EHAX	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本型Photo MOS常闭型	DIP6	75mW
AQV454	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	低通导电阻与经济性兼顾的导体继电器１b型	DIP6	75mW
AQV454AX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	低通导电阻与经济性兼顾的导体继电器１b型	DIP6	75mW
AQV454AZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	低通导电阻与经济性兼顾的导体继电器１b型	DIP6	75mW
AQV454HAX	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	低通导电阻与经济性兼顾的导体继电器１b型	DIP6	75mW
AQW212EHAX	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本Photo MOS２ａ型！	DIP8	75mW
AQW212EHAZ	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本Photo MOS２ａ型！	DIP8	75mW
AQW212S	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了超小型化的高性能半导体ＳＯ封装２a型	SOP8	75mW
AQW212SX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了超小型化的高性能半导体ＳＯ封装２a型	SOP8	75mW
AQW212SZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了超小型化的高性能半导体ＳＯ封装２a型	SOP8	75mW
AQW214EHAZ	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本Photo MOS２ａ型！	DIP8	75mW
AQW215AZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	高性能与经济性兼顾的Photo MOS2a型！	DIP8	75mW
AQW216EHAX	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本Photo MOS２ａ型！	DIP8	75mW
AQW216EHAZ	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本Photo MOS２ａ型！	DIP8	75mW
AQW223R2SX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	降低了负载电压250V时导通电阻及输出端子间容量的小型ＰｈｏｔｏＭＯＳ2a型	SOP8	75mW
AQW223R2SZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	降低了负载电压250V时导通电阻及输出端子间容量的小型ＰｈｏｔｏＭＯＳ2a型	SOP8	75mW
AQW227NAX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了高速动作，低漏电流，低导通电阻的Photo MOS的2a型！	DIP8	75mW
AQW227NAZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了高速动作，低漏电流，低导通电阻的Photo MOS的2a型！	DIP8	75mW

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