光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)-AQV412EHAZ

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AQV412EHAZ

品牌：Panasonic

描述：GE 1b(6pin)

包装：tape and reel packing(Z)

封装：DIP6

无铅情况/ROHS：无铅

类别：PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

经营商：恒博达通信

参数

参数	数值
保存温度	-40℃～+100℃
端子形状	Surface-Mount
输入/输出间端子容量(平均)	0.8pF
包装方式	tape and reel packing(Z)
触点结构	1b
动作LED电流(最大)	3mA
复位时间(平均)	0.3ms
复位LED电流(平均)	1.8mA
订货产品号	AQV412EHAZ
特点	实现了经济价格的低成本型Photo MOS常闭型
全部允许损耗	550mW
动作LED电流(平均)	1.9mA
LED压降(最大)	1.5V
最大允许LED电流	50mA
导通电阻(平均)	1 ohm
开路状态漏电流(最大)	10μA
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
输出端子间容量(平均)	500 pF
连续负载电流	0.55A
动作时间(平均)	3ms
最大正向电流	1A
国外标准	UL, C-UL, VDE
负载电压	60 V
LED反向电压	5V
LED压降(平均)	1.25V
部允许损耗	75mW
耐电压	5000V AC
封装	DIP6
使用环境温度	-40℃～+85℃
导通电阻(最大)	2.5 ohm
复位LED电流(最小)	0.4mA
输入/输出间端子容量(最大)	1.5pF
推荐动作条件(输入LED电流)	5-10mA

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