参数 |
数值 |
VMAX AC (V) VMAX AC (V) |
10 |
Max Clamp Voltage (Vc) (V) 最大箝位电压(Vc)(V) |
30 |
ESD15kVPeak ESD15kVPeak |
85 |
Lines Protected 受保护的线路 |
4 |
Typ Capacitance (pF) 典型电容(pF) |
140 |
ESD8kVPeak ESD8kVPeak |
110 |
Package Size 产品尺寸 |
1206 (3216) |
Moisture Sensitivity Level 湿度灵敏性等级 |
MSL=1 |
Itm1x Itm1x |
30 |
Operating Temperature (deg C) 工作温度(摄氏度) |
-55�C至+125�C |
Max Rated DC Voltage 最高额定直流电压 |
14 |
Wtm10x1000 Wtm10x1000 |
0.1 |
系列 |
MLN |
MLN浪涌阵列抑制器设计用于保护组件免受电路板瞬态电压的损坏。 为减少产品数量、缩短布局时间以及节省印刷电路板空间,该装置在单个“1206”无引线芯片中安装了四个独立抑制器。
此类浪涌阵列装置可抑制静电放电、电快速瞬变及其他瞬变,以保护在不超过18伏直流电压下工作的集成电路或其他敏感元件。 浪涌阵列装置的额定值符合IEC 6100-4-2人体模式静电放电标准,有助于产品达到电磁兼容性标准。 该阵列具有优越的绝缘性能,截面间的串音干扰极小。
浪涌阵列抑制器的固有电容使其具备了过滤器/抑制器功能,因而可代替独立齐纳/电容器组合。
MLN阵列采用Littelfuse多层技术工艺制造,与Littelfuse ML和MLE系列分散式无引线芯片类似。
MLN还可提供双线路型号。 请联系Littelfuse,了解详细信息。