光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)-AQZ105D

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AQZ105D

品牌：Panasonic

描述：功率1a 电压驱动

包装：Tube packing

封装：SIL4

无铅情况/ROHS：无铅

类别：PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

经营商：博迪通信

参数

参数	数值
动作时间(平均)	2.2ms
导通电阻(最大)	0.17 ohm
复位电压(平均)	1.3V
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
输出端子间容量(平均)	1700 pF
保存温度	-40℃～+100℃
端子形状	Through Hole
封装	SIL4
输入逆电压(中文用)	5V
全部允许损耗	1.35W
触点结构	1a
使用环境温度	-40℃～+85℃
输入电压(中文用)	30V
复位时间(平均)	0.2ms
推荐动作条件(输入LED电流)	5V(Input voltage)
导通电阻(平均)	0.09 ohm
开路状态漏电流(最大)	10μA
特点	可控输入电压的ＰｈｏｔｏＭＯＳ功率型
输入/输出间端子容量(平均)	0.8pF
包装方式	Tube packing
国外标准	UL, C-UL, VDE
复位电压(最小)	0.8V
输入电流(平均)(中文用)	6.5mA
输入/输出间端子容量(最大)	1.5pF
订货产品号	AQZ105D
动作电压(最大)	4V
连续负载电流	2.3A
耐电压	2500V AC
负载电压	100 V
动作电压(平均)	1.4V
部允许损耗	300mW

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