光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)-AQY414EH

参数	数值
LED压降(最大)	1.5V
使用环境温度	-40℃～+85℃
导通电阻(最大)	35 ohm
LED压降(平均)	1.25V
开路状态漏电流(最大)	10μA
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
耐电压	5000V AC
特点	实现了经济价格的小型４脚ＤＩＰ低成本Photo MOS常闭型
动作时间(平均)	0.8ms
国外标准	UL, C-UL
复位LED电流(最小)	0.4mA
最大允许LED电流	50mA
输入/输出间端子容量(最大)	1.5pF
保存温度	-40℃～+100℃
端子形状	Through Hole
最大正向电流	1A
负载电压	400 V
触点结构	1b
动作LED电流(最大)	3mA
推荐动作条件(输入LED电流)	5-10mA
复位LED电流(平均)	1.3mA
部允许损耗	75mW
封装	DIP4
输入/输出间端子容量(平均)	0.8pF
包装方式	Tube packing
全部允许损耗	550mW
动作LED电流(平均)	1.4mA
LED反向电压	5V
复位时间(平均)	0.2ms
导通电阻(平均)	26 ohm
订货产品号	AQY414EH
输出端子间容量(平均)	100 pF
连续负载电流	0.12A