光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)-AQY222R1S

参数	数值
端子形状	Surface-Mount
封装	SOP4
最大正向电流	1A
负载电压	60 V
动作LED电流(平均)	0.5mA
LED压降(最大)	1.5V
最大允许LED电流	50mA
推荐动作条件(输入LED电流)	5mA
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
连续负载电流	0.5A
保存温度	-40℃～+100℃
触点结构	1a
使用环境温度	-40℃～+85℃
复位LED电流(最小)	0.1mA
动作LED电流(最大)	3mA
复位LED电流(平均)	0.45mA
耐电压	1500V AC
输入/输出间端子容量(平均)	0.8pF
动作时间(平均)	0.15ms
包装方式	Tube packing
国外标准	-
全部允许损耗	350mW
导通电阻(最大)	1.2 ohm
LED反向电压	5V
输入/输出间端子容量(最大)	1.5pF
开路状态漏电流(最大)	10nA
输出端子间容量(平均)	24.5 pF
特点	降低了负载电压60V时导通电阻及输出端子间容量的超小型Photo MOS
复位时间(平均)	0.06ms
导通电阻(平均)	0.8 ohm
订货产品号	AQY222R1S
部允许损耗	75mW