光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)-AQY221N2S

参数	数值
耐电压	1500V AC
特点	采取了２种不同的ＭＯＳＦＥＴ构造，Ｃ×Ｒ１０的２种类型产品可供选择
封装	SOP4
最大正向电流	1A
LED压降(最大)	1.5V
推荐动作条件(输入LED电流)	5mA
复位LED电流(平均)	0.85mA
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
保存温度	-40℃～+100℃
动作时间(平均)	0.03ms
动作LED电流(平均)	0.9mA
触点结构	1a
使用环境温度	-40℃～+85℃
导通电阻(最大)	12.5 ohm
动作LED电流(最大)	3mA
复位时间(平均)	0.03ms
订货产品号	AQY221N2S
端子形状	Surface-Mount
输入/输出间端子容量(平均)	0.8pF
包装方式	Tube packing
国外标准	-
全部允许损耗	350mW
复位LED电流(最小)	0.2mA
最大允许LED电流	50mA
输入/输出间端子容量(最大)	1.5pF
开路状态漏电流(最大)	10nA
负载电压	40 V
LED反向电压	5V
导通电阻(平均)	9.5 ohm
输出端子间容量(平均)	1 pF
连续负载电流	0.12A
部允许损耗	75mW