光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)-AQV254HAZ

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AQV254HAZ

品牌：Panasonic

描述：HE 1a(6pin)

包装：tape and reel packing(Z)

封装：DIP6

无铅情况/ROHS：无铅

类别：PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

经营商：瑞信杰创

参数

参数	数值
耐电压	5000V AC
特点	低导通电阻与经济性兼顾，品种丰富的Photo MOS
封装	DIP6
全部允许损耗	410mW
复位LED电流(最小)	0.4mA
推荐动作条件(输入LED电流)	5-10mA
复位LED电流(平均)	1.3mA
订货产品号	AQV254HAZ
输出端子间容量(平均)	170 pF
包装方式	tape and reel packing(Z)
动作LED电流(平均)	1.4mA
导通电阻(最大)	16 ohm
LED反向电压	5V
开路状态漏电流(最大)	1μA
部允许损耗	75mW
输入/输出间端子容量(平均)	1.3pF
动作时间(平均)	1.8ms
LED压降(最大)	1.5V
触点结构	1a
使用环境温度	-40℃～+85℃
复位时间(平均)	0.05ms
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
保存温度	-40℃～+100℃
端子形状	Surface-Mount
最大正向电流	1A
国外标准	UL, C-UL, BSI
负载电压	400 V
最大允许LED电流	50mA
动作LED电流(最大)	3mA
输入/输出间端子容量(最大)	3pF
导通电阻(平均)	12.4 ohm
连续负载电流	0.15A

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