光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)-AQV221AX

参数	数值
特点	可控制高频信号的Photo MOS最适合进行视频信号，高速脉冲的控制
封装	DIP6
动作时间(平均)	0.1ms
导通电阻(平均)	22 ohm
连续负载电流	0.08A
部允许损耗	75mW
负载电压	40 V
动作LED电流(平均)	0.9mA
触点结构	1a
使用环境温度	-40℃～+85℃
动作LED电流(最大)	3mA
推荐动作条件(输入LED电流)	5mA
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
耐电压	1500V AC
输入/输出间端子容量(平均)	0.8pF
包装方式	tape and reel packing(X)
国外标准	UL, C-UL
全部允许损耗	280mW
导通电阻(最大)	35 ohm
复位LED电流(最小)	0.4mA
LED反向电压	5V
输入/输出间端子容量(最大)	1.5pF
复位LED电流(平均)	0.85mA
开路状态漏电流(最大)	10nA
输出端子间容量(平均)	5.6 pF
保存温度	-40℃～+100℃
端子形状	Surface-Mount
最大正向电流	1A
LED压降(最大)	1.5V
最大允许LED电流	50mA
复位时间(平均)	0.03ms
订货产品号	AQV221AX