光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)-AQV217AX

参数	数值
保存温度	-40℃～+100℃
输入/输出间端子容量(平均)	0.8pF
动作时间(平均)	0.25ms
包装方式	tape and reel packing(X)
国外标准	UL, C-UL
触点结构	1a
LED反向电压	5V
动作LED电流(最大)	3mA
导通电阻(平均)	11 ohm
复位LED电流(平均)	0.79mA
订货产品号	AQV217AX
连续负载电流	0.18A
耐电压	1500V AC
最大正向电流	1A
LED压降(平均)	1.25V
开路状态漏电流(最大)	1μA
输出端子间容量(平均)	70 pF
部允许损耗	75mW
端子形状	Surface-Mount
全部允许损耗	550mW
动作LED电流(平均)	1mA
LED压降(最大)	1.5V
导通电阻(最大)	15 ohm
最大允许LED电流	50mA
复位时间(平均)	0.05ms
推荐动作条件(输入LED电流)	5mA
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
特点	高性能和高可靠性的Photo MOS，同时还具备很好的经济性！
封装	DIP6
负载电压	200 V
使用环境温度	-40℃～+85℃
复位LED电流(最小)	0.4mA
输入/输出间端子容量(最大)	1.5pF