光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)-AQV210EAZ

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AQV210EAZ

品牌：Panasonic

描述：GE 1a(6pin)

包装：tape and reel packing(Z)

封装：DIP6

无铅情况/ROHS：无铅

类别：PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

经营商：博迪通信

参数

参数	数值
全部允许损耗	550mW
复位LED电流(最小)	0.3mA
复位时间(平均)	0.05ms
导通电阻(平均)	23 ohm
部允许损耗	75mW
保存温度	-40℃～+100℃
动作LED电流(平均)	1.1mA
触点结构	1a
使用环境温度	-40℃～+85℃
动作LED电流(最大)	3mA
复位LED电流(平均)	1.0mA
封装	DIP6
输入/输出间端子容量(平均)	0.8pF
动作时间(平均)	0.5ms
包装方式	tape and reel packing(Z)
国外标准	UL, C-UL
负载电压	350 V
LED反向电压	5V
输入/输出间端子容量(最大)	1.5pF
订货产品号	AQV210EAZ
输出端子间容量(平均)	45 pF
耐电压	1500V AC
端子形状	Surface-Mount
特点	实现了经济价格的低成本Photo MOS
最大正向电流	1A
LED压降(最大)	1.5V
导通电阻(最大)	35 ohm
最大允许LED电流	50mA
LED压降(平均)	1.25V
推荐动作条件(输入LED电流)	5mA
开路状态漏电流(最大)	1μA
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
连续负载电流	0.13A

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