光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)-AQV210E

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AQV210E

品牌：Panasonic

描述：GE 1a(6pin)

包装：Tube packing

封装：DIP6

无铅情况/ROHS：无铅

类别：PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

经营商：博迪通信

参数

参数	数值
耐电压	1500V AC
端子形状	Through Hole
动作时间(平均)	0.5ms
动作LED电流(平均)	1.1mA
使用环境温度	-40℃～+85℃
LED压降(平均)	1.25V
输入/输出间端子容量(最大)	1.5pF
复位LED电流(平均)	1.0mA
开路状态漏电流(最大)	1μA
输出端子间容量(平均)	45 pF
连续负载电流	0.13A
最大正向电流	1A
导通电阻(最大)	35 ohm
部允许损耗	75mW
特点	实现了经济价格的低成本Photo MOS
封装	DIP6
全部允许损耗	550mW
LED压降(最大)	1.5V
复位LED电流(最小)	0.3mA
最大允许LED电流	50mA
复位时间(平均)	0.05ms
推荐动作条件(输入LED电流)	5mA
导通电阻(平均)	23 ohm
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
保存温度	-40℃～+100℃
输入/输出间端子容量(平均)	0.8pF
包装方式	Tube packing
国外标准	UL, C-UL
负载电压	350 V
触点结构	1a
LED反向电压	5V
动作LED电流(最大)	3mA
订货产品号	AQV210E

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