光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)-AQV210A

参数	数值
特点	高性能和高可靠性的Photo MOS，同时还具备很好的经济性！
封装	DIP6
使用环境温度	-40℃～+85℃
复位LED电流(最小)	0.4mA
输入/输出间端子容量(最大)	1.5pF
输出端子间容量(平均)	45 pF
耐电压	1500V AC
包装方式	Tube packing
导通电阻(最大)	35 ohm
LED反向电压	5V
LED压降(平均)	1.25V
开路状态漏电流(最大)	1μA
订货产品号	AQV210A
连续负载电流	0.13A
部允许损耗	75mW
全部允许损耗	550mW
动作LED电流(平均)	1mA
LED压降(最大)	1.5V
触点结构	1a
复位时间(平均)	0.05ms
推荐动作条件(输入LED电流)	5mA
导通电阻(平均)	23 ohm
复位LED电流(平均)	0.79mA
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
保存温度	-40℃～+100℃
端子形状	Surface-Mount
输入/输出间端子容量(平均)	0.8pF
动作时间(平均)	0.25ms
最大正向电流	1A
国外标准	UL, C-UL
负载电压	350 V
最大允许LED电流	50mA
动作LED电流(最大)	3mA