光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)-AQY412EHAZ

参数	数值
耐电压	5000V AC
特点	实现了经济价格的小型４脚ＤＩＰ低成本Photo MOS常闭型
使用环境温度	-40℃～+85℃
导通电阻(最大)	2.5 ohm
复位LED电流(最小)	0.4mA
LED压降(平均)	1.25V
输入/输出间端子容量(最大)	1.5pF
推荐动作条件(输入LED电流)	5-10mA
复位LED电流(平均)	1.3mA
动作时间(平均)	3ms
最大正向电流	1A
国外标准	UL, C-UL, VDE
负载电压	60 V
订货产品号	AQY412EHAZ
部允许损耗	75mW
端子形状	Surface-Mount
全部允许损耗	550mW
LED压降(最大)	1.5V
最大允许LED电流	50mA
导通电阻(平均)	1 ohm
开路状态漏电流(最大)	10μA
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
输出端子间容量(平均)	500 pF
连续负载电流	0.55A
保存温度	-40℃～+100℃
封装	DIP4
输入/输出间端子容量(平均)	0.8pF
包装方式	tape and reel packing(Z)
动作LED电流(平均)	1.4mA
触点结构	1b
LED反向电压	5V
动作LED电流(最大)	3mA
复位时间(平均)	0.2ms