光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)-AQW610SZ

参数	数值
保存温度	-40℃～+100℃
输入/输出间端子容量(平均)	0.8pF
动作时间(平均)	0.28ms(N.O.),0.52ms(N.C.)
包装方式	tape and reel packing(Z)
负载电压	350 V
动作LED电流(平均)	0.9mA
触点结构	1a1b
LED反向电压	5V
动作LED电流(最大)	3mA
导通电阻(平均)	18 ohm
特点	实现了超小型化的高性能Photo MOSSO封装1a1b型
封装	SOP8
最大正向电流	1A
复位LED电流(平均)	0.8mA
订货产品号	AQW610SZ
输出端子间容量(平均)	45 pF(N.O.),100 pF(N.C.)
连续负载电流	0.1A
部允许损耗	75mW
端子形状	Surface-Mount
国外标准	UL, C-UL, BSI
全部允许损耗	650mW
LED压降(最大)	1.5V
最大允许LED电流	50mA
复位时间(平均)	0.04ms(N.O.),0.23ms(N.C.)
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
耐电压	1500V AC
使用环境温度	-40℃～+85℃
导通电阻(最大)	25 ohm
复位LED电流(最小)	0.4mA
输入/输出间端子容量(最大)	1.5pF
推荐动作条件(输入LED电流)	5mA
开路状态漏电流(最大)	1μA