光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)-AQV256HA

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AQV256HA

品牌：Panasonic

描述：HE 1a(6pin)

包装：Tube packing

封装：DIP6

无铅情况/ROHS：无铅

类别：PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

经营商：优创科技

参数

参数	数值
保存温度	-40℃～+100℃
输入/输出间端子容量(平均)	1.3pF
包装方式	Tube packing
动作LED电流(平均)	1.4mA
触点结构	1a
导通电阻(最大)	30 ohm
LED反向电压	5V
动作LED电流(最大)	3mA
输入/输出间端子容量(最大)	3pF
最大正向电流	1A
负载电压	600 V
导通电阻(平均)	20 ohm
复位LED电流(平均)	1.3mA
部允许损耗	75mW
端子形状	Surface-Mount
封装	DIP6
动作时间(平均)	1.2ms
全部允许损耗	410mW
LED压降(最大)	1.5V
最大允许LED电流	50mA
复位时间(平均)	0.06ms
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
订货产品号	AQV256HA
耐电压	1500V AC
特点	低导通电阻与经济性兼顾，品种丰富的Photo MOS
国外标准	-
使用环境温度	-40℃～+85℃
复位LED电流(最小)	0.4mA
推荐动作条件(输入LED电流)	5-10mA
开路状态漏电流(最大)	1μA
输出端子间容量(平均)	70 pF
连续负载电流	0.13A

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