光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)-AQV214HAX

参数	数值
封装	DIP6
全部允许损耗	550mW
复位时间(平均)	0.05ms
连续负载电流	0.12A
部允许损耗	75mW
耐电压	5000V AC
特点	高性能和高可靠性的Photo MOS，同时还具备很好的经济性！
输入/输出间端子容量(平均)	0.8pF
动作时间(平均)	0.6ms
包装方式	tape and reel packing(X)
复位LED电流(最小)	0.4mA
LED反向电压	5V
LED压降(平均)	1.25V
输入/输出间端子容量(最大)	1.5pF
开路状态漏电流(最大)	1μA
输出端子间容量(平均)	45 pF
保存温度	-40℃～+100℃
动作LED电流(平均)	1mA
触点结构	1a
使用环境温度	-40℃～+85℃
动作LED电流(最大)	3mA
推荐动作条件(输入LED电流)	5-10mA
导通电阻(平均)	30 ohm
复位LED电流(平均)	0.79mA
端子形状	Surface-Mount
最大正向电流	1A
国外标准	UL, C-UL, BSI
负载电压	400 V
LED压降(最大)	1.5V
导通电阻(最大)	50 ohm
最大允许LED电流	50mA
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
订货产品号	AQV214HAX