光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)-AQV112KLA

品牌：Panasonic

描述：GU 带短路保护功能非闭锁型(6pin)

包装：Tube packing

封装：DIP6

无铅情况/ROHS：无铅

类别：PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

经营商：博迪通信

参数	数值
端子形状	Surface-Mount
最大正向电流	1A
负载电压	60 V
LED压降(最大)	1.5V
最大允许LED电流	50mA
LED压降(平均)	1.17V
推荐动作条件(输入LED电流)	10mA
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
连续负载电流	0.5A
保存温度	-40℃～+100℃
动作LED电流(平均)	0.8mA
触点结构	1a
使用环境温度	-40℃～+85℃
导通电阻(平均)	0.55 ohm
耐电压	1500V AC
输入/输出间端子容量(平均)	0.8pF
包装方式	Tube packing
国外标准	UL, C-UL, VDE
LED反向电压	5V
动作LED电流(最大)	10mA
输入/输出间端子容量(最大)	1.5pF
复位LED电流(平均)	0.7mA
开路状态漏电流(最大)	1μA
订货产品号	AQV112KLA
输出端子间容量(平均)	300 pF
特点	附带自复位型短路保护功能的6脚DIP的Photo MOS
封装	DIP6
动作时间(平均)	2ms
全部允许损耗	550mW
导通电阻(最大)	2 ohm
复位LED电流(最小)	0.3mA
过电流保护功能	With short circuit protecting（non-latching）
复位时间(平均)	0.1ms
部允许损耗	75mW