光电器件-PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)-AQS221N2SZ

English 中文

English 中文

所有产品

制造商(A-Z)>

应用方案

能源技术应用>

汽车电子应用>

新闻中心

关于科通

当前位置：首页 > 所有产品 > 光电器件 > PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器) > AQS221N2SZ

AQS221N2SZ

品牌：Panasonic

描述：RF SOP4a C×R10

包装：tape and reel packing(Z)

封装：SOP16

无铅情况/ROHS：无铅

类别：PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

经营商：瑞信杰创

参数

参数	数值
负载电压	40 V
触点结构	4a
LED反向电压	5V
导通电阻(平均)	9.5 ohm
输出端子间容量(平均)	1 pF
部允许损耗	75mW
耐电压	500V AC
端子形状	Surface-Mount
输入/输出间端子容量(平均)	0.8pF
包装方式	tape and reel packing(Z)
国外标准	-
最大允许LED电流	50mA
输入/输出间端子容量(最大)	1.5pF
开路状态漏电流(最大)	10nA
连续负载电流	0.06A
保存温度	-40℃～+100℃
封装	SOP16
动作时间(平均)	0.03ms
动作LED电流(平均)	0.9mA
使用环境温度	-40℃～+85℃
导通电阻(最大)	12.5 ohm
复位LED电流(最小)	0.1mA
动作LED电流(最大)	3mA
复位时间(平均)	0.03ms
特点	ＲＦ低Ｃ×Ｒ１０型超小型１６脚ＳＯ封装形式浓缩了４a输出
最大正向电流	1A
全部允许损耗	650mW
LED压降(最大)	1.5V
LED压降(平均)	1.25V
推荐动作条件(输入LED电流)	5mA
复位LED电流(平均)	0.85mA
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
订货产品号	AQS221N2SZ

所有产品

应用方案

能源技术应用

汽车电子应用

新闻中心

关于科通

深圳市科通技术股份有限公司客服电话：(+86)755-26018083 邮箱：cs@comtech.cn

© Copyright 2018 www.comtech.cn | 粤ICP备19161615号 | 粤公网安备 44030502003347号